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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
200
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
200
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
175 C
25 C
-55 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
o
5
1
2
3 4 5 6
7
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
80
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
60
175 C
25 C
V GS = 10V
o
o
10
40
V GS = 20V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
20
0
20
40 60
80 100
o
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2
1.3
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
2000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C iss
8
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
100
10
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C oss
6
4
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
Crss = Cgd
1
0.1
1 10
100 200
0
0
*Note: I D = 27A
4 8 12
16
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB390N15A Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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